Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation telah memperkenalkan GT20N135SRA, 1350V IGBT diskrit untuk periuk meja IH, periuk nasi IH, ketuhar gelombang mikro dan peralatan rumah lain yang menggunakan litar resonans voltan. IGBT mempunyai voltan tepu pemungut pemancar 1.75V dan voltan hadapan diod 1.8V, yang masing-masing kira-kira 10% dan 21% lebih rendah daripada produk semasa.
Kedua-dua IGBT dan dioda mempunyai ciri kehilangan konduksi yang lebih baik pada suhu tinggi (T C = 100 ℃), dan IGBT baru dapat membantu mengurangkan penggunaan kuasa peralatan. Ia juga mempunyai rintangan terma persimpangan ke kes 0.48 ℃ / W sekitar 26% lebih rendah daripada produk semasa yang membolehkan reka bentuk terma lebih mudah.
Ciri-ciri GT20N135SRA IGBT
- Kehilangan konduksi rendah:
VCE (sat) = 1.6V (tip.) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1.75V (tip.) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Rintangan terma persimpangan rendah ke kes: Rth (jC) = 0.48 ℃ / W (maksimum)
- Menekan arus litar pintas yang mengalir melalui kapasitor resonans apabila peralatan dihidupkan.
- Kawasan operasi selamat yang luas
IGBT baru dapat menekan arus litar pintas yang mengalir melalui kapasitor resonans semasa peralatan dihidupkan. Nilai puncak arus litarnya adalah 129A, sekitar 31% pengurangan dari produk semasa. GT20N135SRA menjadikan reka bentuk peralatan lebih mudah jika dibandingkan dengan produk lain yang serupa yang ada sekarang kerana kawasan operasi yang selamat diperluas. Untuk maklumat lebih lanjut mengenai GT20N135SRA, lawati laman web rasmi Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.