Penyelidik di Sistem Tenaga Elektronik Rendah (LEES), Singapore-MIT Alliance for Research and Technology (SMART), berjaya mengembangkan jenis cip semikonduktor baru yang dapat dikembangkan dengan cara yang lebih komersil berbanding kaedah yang ada. Walaupun cip semikonduktor adalah antara peranti yang paling dihasilkan dalam sejarah, ia semakin mahal bagi syarikat untuk menghasilkan cip generasi seterusnya. Chip Silicon III-V bersepadu yang baru memanfaatkan infrastruktur pembuatan 200mm yang ada untuk membuat cip baru yang menggabungkan Silicon tradisional dengan peranti III-V yang bermaksud penjimatan puluhan bilion pelaburan industri.
Lebih-lebih lagi, cip Silicon III-V bersepadu akan membantu mengatasi potensi masalah dengan teknologi mudah alih 5G. Sebilangan besar peranti 5G di pasaran hari ini menjadi sangat panas semasa digunakan dan cenderung dimatikan setelah beberapa waktu, tetapi cip bersepadu SMART bukan sahaja akan membolehkan pencahayaan dan paparan pintar tetapi juga dapat mengurangkan penjanaan haba pada peranti 5G. Cip Silicon III-V bersepadu ini dijangka tersedia pada tahun 2020.
SMART memberi tumpuan untuk mencipta cip baru untuk penerangan / paparan piksel dan pasaran 5G, yang mempunyai potensi pasaran gabungan lebih dari $ 100B USD. Pasaran lain yang akan terganggu oleh cip Silicon III-V bersepadu SMART termasuk paparan mini yang boleh dipakai, aplikasi realiti maya, dan teknologi pengimejan lain. Portfolio paten telah dilesenkan secara eksklusif oleh New Silicon Corporation Pte. Ltd. (NSC), syarikat berpangkalan di Singapura dari SMART. NSC adalah syarikat litar bersepadu silikon fabless pertama dengan bahan, proses, peranti, dan reka bentuk proprietari untuk litar Silicon III-V bersepadu monolitik.