Infineon Technologies telah mengembangkan keluarga MOSFET Silicon Carbide (SiC) dengan Modul Daya 1200S CoolSiC MOSFET baru. MOSFET ini menggunakan sifat SiC untuk beroperasi pada frekuensi pensuisan tinggi dengan ketumpatan dan kecekapan kuasa tinggi. Infineon mendakwa bahawa MOSFET ini dapat melebihi kecekapan 99% dalam reka bentuk penyongsang kerana kerugian pengalihannya lebih rendah. Harta ini mengurangkan kos operasi dengan ketara dalam aplikasi pertukaran cepat seperti UPS dan reka bentuk penyimpanan tenaga yang lain.
Modul Power MOSFET hadir dalam pakej Easy 2B yang mempunyai aruhan sesat rendah. Peranti baru memperluas julat kekuatan modul dalam topologi jambatan setengah dengan rintangan on (R DS (ON)) per suis kepada hanya 6 mΩ menjadikannya ideal untuk membina topologi empat dan enam pek. Selain itu, MOSFET juga mempunyai tahap muatan terendah dan tahap kapasitansi peranti yang dilihat pada suis 1200V, tiada kerugian pemulihan terbalik dari dioda anti-selari, kehilangan suis rendah bebas suhu, dan ciri keadaan bebas ambang. Diod badan bersepadu pada MOSFET menyediakan fungsi freewheeling bebas kerugian tanpa memerlukan dioda luaran dan sensor suhu NTC bersepadu juga memantau peranti untuk melindungi kegagalan.
Aplikasi yang disasarkan untuk MOSFET ini adalah penyongsang fotovoltaik, pengecasan bateri dan penyimpanan tenaga. Kerana prestasi, kebolehpercayaan dan kemudahan penggunaan terbaik, ini memudahkan pereka sistem untuk memanfaatkan tahap kecekapan dan fleksibiliti sistem yang belum pernah dilihat sebelumnya. Infineon Easy 2B CoolSiC MOSFET kini tersedia untuk pembelian, anda boleh melayari laman web mereka untuk maklumat lebih lanjut.